Zatím, monokrystalické křemíkové solární panely se rychle rozvíjely jak ve výzkumu, tak v industrializaci.

Mezi mnoha faktory, které ovlivňují buňky C-Si, zlepšení kvality křemíkových plátků činí objemovou rekombinaci stále menší a vývoj nových pasivačních vrstev a technologie jejich přípravy značně snižuje povrchovou rekombinaci. Mezi nimi se rekombinace kovové elektrody a kontaktu C-Si stává klíčovým faktorem ovlivňujícím účinnost článku a je považována za poslední limitující faktor blízký teoretickému limitu účinnosti. Aby se snížila rekombinace v kontaktním bodě mezi kovem a C-Si, je na jedné straně přímá kontaktní plocha mezi kovem a C-Si redukována částečně otevřenými otvory na zadní straně článku (včetně PERC, PERL, a PERT atd.). I když je účinnost konverze 25 % nebo se k ní blíží, v těchto článcích stále existuje přímý kontakt mezi kovem a C-Si, proces otevírání zadní strany je komplikovaný a způsobí poškození křemíkového materiálu v otvoru.

Navíc technika místního otevírání způsobuje, že se nosiče nejen odchýlí od migrační dráhy kolmé ke kontaktnímu povrchu, ale také mohou být přeplněné u otvoru, což vede ke ztrátě faktoru plnění. Na druhé straně je třeba vyvinout nová kontaktní schémata, která mohou dosáhnout jak vynikající pasivace povrchu, tak oddělení a transportu nosičů bez potřeby otvorů, tj. pasivačních kontaktů selektivních pro nosič. Toto řešení může realizovat pasivaci celého povrchu křemíkového plátku (včetně kontaktní plochy a bezkontaktní plochy) a v tomto okamžiku jsou nosiče jednorozměrným transportem mezi elektrodami na obou koncích, což je výhodné pro získat vyšší faktor plnění a poté zlepšit jeho účinnost konverze.